Diodes à récupération ultra-rapide RFx30TZ6S et RFx60TZ6S

Les diodes à récupération ultra-rapide RFx30TZ6S et RFx60TZ6S de ROHM Semiconductor sont des diodes planaires épitaxiales en silicium offrant une tension inverse de crête de 650 V et une plage de courant direct rectifié de 30 A à 60 A. Ces composants disposent d'une récupération rapide, d'une perte de commutation ultra-faible et d'une capacité de surcharge de courant élevée.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Vr - Tension inverse
If - Courant direct
Type
Configuration
Vf - Tension directe
Courant de surtension max.
Ir - Courant inverse
Délai de reprise
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
ROHM Semiconductor Redresseurs Diode, Fast Recovery, 650V 60A, TO-247-2L
Fiche technique
905En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-2 650 V 60 A Ultra Fast Recovery Diode Single 1.5 V 320 A 10 uA 90 ns + 175 C Tube
ROHM Semiconductor Redresseurs Diode, Fast Recovery, 650V 30A, TO-247-2L
Fiche technique
1,095En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-2 650 V 30 A Ultra Fast Recovery Diode Single 1.5 V 200 A 5 uA 70 ns + 175 C Tube
ROHM Semiconductor Redresseurs 650V 60A, TO-247-2L, Ultra Soft Recovery Type, Ultra Fast Recovery Diode
Fiche technique
1,112En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-2 650 V 60 A Ultra Fast Recovery Diode Single 2.3 V 250 A 10 uA 48 ns + 175 C Tube
ROHM Semiconductor Redresseurs 650V 30A, TO-247-2L, Ultra Soft Recovery Type, Ultra Fast Recovery Diode
Fiche technique
1,665En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-2 650 V 30 A Ultra Fast Recovery Diode Single 2.3 V 160 A 5 uA 38 ns + 175 C Tube