MOSFET à petit signal HZG BSS84X

Le MOSFET à signal faible HZG BSS84X de ROHM Semiconductor est proposé dans un boîtier ultra-compact sans plomb avec une pastille de drain exposée pour une excellente conduction thermique. Le MOSFET à signal faible BSS84X HZG dispose d’une tension drain-source -60 V, d’un courant de drain continu ±230 mA et d’une dissipation de puissance 1,0 W. Le HZG BSS84X est conçu pour les circuits de commutation, les commutateurs de charge côté haut et les applications de pilote de relais.

Résultats: 3
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET AECQ
557En stock
39,000Sur commande
Bande coupée
$1.07
$0.734
$0.465
$0.288
$0.219
Bobine
$0.189
Min. : 1
Mult. : 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 5.3 Ohms 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET SOT323 P-CH 60V .21A 4,622En stock
Bande coupée
$0.821
$0.366
$0.321
$0.24
Bobine
$0.181
Min. : 1
Mult. : 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 210 mA 5.3 Ohms 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET MOSFET Pch -60V -0.23A, DriveVoltage:-4.5 DFN10103W
16,000Sur commande
Bande coupée
$1.30
$0.595
$0.526
$0.402
Bobine
$0.262
Min. : 1
Mult. : 1
: 8,000
Si SMD/SMT DFN-1010-3 P-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 5.3 Ohms 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape