30V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 30V Single N-Channel Power MOSFETs feature a low RDS(ON) (drain-source on-state resistance), which minimizes conductive losses. These devices also feature a low gate charge for fast switching. These N-Channel Power MOSFETs are ideal for battery power management, load switching, motor control, and DC-DC converter applications.

Résultats: 3
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Conditionnement
Taiwan Semiconductor MOSFET 30V, 90A, Single N-Channel Power MOSFET 2,489En stock
Bande coupée
$2.10
$0.984
$0.874
$0.683
Bobine
$0.553
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,500
Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 5.2 mOhms 20 V 2.5 V 41 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET 30V, 59A, Single N-Channel Power MOSFET 2,439En stock
Bande coupée
$1.76
$0.812
$0.72
$0.559
Bobine
$0.448
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,500
Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 59 A 8 mOhms 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 55.6 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET 30V, 194A, Single N-Channel Power MOSFET 826En stock
Bande coupée
$3.73
$1.83
$1.64
$1.31
Bobine
$1.20
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,500
Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 194 A 1.8 mOhms 20 V 2.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel