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NTBL023N065M3S

Name: onsemi NTBL023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL023N065M3S
Price: 17.65 CAD
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTBL023N065M3S

N° de fab. :

NTBL023N065M3S

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NTBL023N065M3S Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	H-PSOF-8
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	77 A
Rds On - Résistance drain-source:	32.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22.6 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	69 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	312 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	9.6 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	15 ns
Série:	NTBL023N065M3S
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Polarité du transistor:	N-Channel
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	35 ns
Délai d'activation standard:	11 ns

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Fiche technique

NTBL023N065M3S Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-7-21 (PDF)

Codes de conformité

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Philippines
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTBL023N065M3S

Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTBL023N065M3S d'onsemi sont conçus pour des applications électriques exigeantes. Les MOSFET NTBL023N065M3S d’onsemi présentent une résistance R_DS(on) standard de 23 mΩ sous V_GS = 18 V, une charge de grille ultra-faible (Q_G(tot) = 69 nC) et une commutation de haut débit à faible capacité (C_oss = 152 pF). Entièrement testés pour leurs performances en avalanche, ces MOSFET sont exempts d'halogénures, conformes à la directive RoHS avec exemption 7a et sans Pb au niveau de l' interconnexion de deuxième niveau. Idéaux pour des applications telles que les alimentations électriques à découpage (SMPS), les convertisseurs solaires, lesalimentations non interruptibles (UPS), les systèmes de stockage d'énergie et les infrastructures, ces MOSFET SiC fournissent des performances robustes pour répondre aux besoins modernes en matière degestion de l'alimentation électrique.

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Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

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Conçu pour les applications à commutation rapide, offrant des performances fiables.

MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVH4L050N170M1

Permet des performances exceptionnelles avec une RDS(on) standard de 53 mΩ à VGS = 20 V.

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Prix (CAD)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
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	$9.62	$962.00
	$9.09	$4,545.00
	$8.47	$8,470.00
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	$8.45	$16,900.00
10,000	Devis

NTBL023N065M3S

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Description : SiC MOSFET SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S

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SiC MOSFET SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S

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