MOSFET – Mouser Canada

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MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 canal N

Les MOSFET de puissance à canal N OptiMOS™ 7 d'Infineon Technologies sont des transistors à canal N haute performance conçus pour les applications de conversion d'énergie exigeantes. Ces MOSFET offrent une résistance en conduction très faible, une résistance thermique supérieure et un excellent rapport Miller pour une robustesse dv/dt. Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 sont optimisés pour les topologies de commutation dure et douce, ainsi que pour les FOMoss. Ces MOSFET sont 100 % testés en mode avalanche et sont conforme à la directive RoHS. Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 sont sans halogène conformément à la norme CEI61249‑2‑21.

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Référence

MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC034N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.41
7,443En stock
5,0002027-04-22 attendu
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
ISC034N08NM7ATMA1

Référence Mouser
726-ISC034N08NM7ATMA

Nouveau produit

Infineon Technologies

MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

Fiche technique

7,443En stock

5,0002027-04-22 attendu

Bande coupée

$3.41

$2.16

$1.47

$1.18

Bobine

$0.937

Afficher

Min. : 1
Mult. : 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

122 A

3.4 mOhms

20 V

3.2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC024N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.64
352En stock
10,0002026-09-07 attendu
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
ISC024N08NM7ATMA1

Référence Mouser
726-ISC024N08NM7ATMA

Nouveau produit

Infineon Technologies

MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

Fiche technique

352En stock

10,0002026-09-07 attendu

Bande coupée

$4.64

$3.00

$2.07

$1.67

$1.58

Bobine

$1.37

Min. : 1
Mult. : 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

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2.4 mOhms

20 V

3.2 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $6.45
14,685En stock
Nouveau produit

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IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1

Référence Mouser
726-IQEH46NE2LM7ZCGS

Nouveau produit

Infineon Technologies

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Fiche technique

14,685En stock

Bande coupée

$6.45

$4.25

$3.00

$2.55

$2.45

Bobine

$2.38

Min. : 1
Mult. : 1

: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

430 A

480 uOhms

12 V

1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $6.31
5,778En stock
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MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Fiche technique

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Bande coupée

$6.31

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Bobine

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N-Channel

1 Channel

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150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Infineon Technologies
1: $4.13
4,975En stock
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Référence Mouser
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Infineon Technologies

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Fiche technique

4,975En stock

Bande coupée

$4.13

$2.68

$1.87

$1.60

Bobine

$1.37

Min. : 1
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: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

422 A

500 uOhms

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1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH54NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: $4.00
4,897En stock
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IQEH54NE2LM7UCGATMA1

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726-IQEH54NE2LM7UCGA

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MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Fiche technique

4,897En stock

Bande coupée

$4.00

$2.07

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$1.54

Bobine

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH68NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: $3.80
4,965En stock
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Fab. Numéro de référence
IQEH68NE2LM7UCGATMA1

Référence Mouser
726-IQEH68NE2LM7UCGA

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Infineon Technologies

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Fiche technique

4,965En stock

Bande coupée

$3.80

$1.86

$1.67

$1.35

Bobine

$1.17

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: 5,000

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N-Channel

1 Channel

25 V

338 A

680 uOhms

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2 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $4.52
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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

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726-IQEH80NE2LM7UCGS

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Infineon Technologies

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Fiche technique

5,710En stock

Bande coupée

$4.52

$2.25

$2.03

$1.64

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Bobine

$1.48

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MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH84NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: $3.33
4,948En stock
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
IQEH84NE2LM7UCGATMA1

Référence Mouser
726-IQEH84NE2LM7UCGA

Nouveau produit

Infineon Technologies

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Fiche technique

4,948En stock

Bande coupée

$3.33

$2.15

$1.45

$1.15

$1.11

Bobine

$0.963

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

275 A

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16 V

2 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

MOSFET OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

ISC019N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.11
9,300En stock
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Fab. Numéro de référence
ISC019N08NM7ATMA1

Référence Mouser
726-ISC019N08NM7ATMA

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Infineon Technologies

MOSFET OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

Fiche technique

9,300En stock

Bande coupée

$5.11

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$2.39

$2.00

$1.93

Bobine

$1.74

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Mult. : 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

209 A

1.9 mOhms

20 V

3.2 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V

ISC040N10NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.52
353En stock
5,0002026-08-27 attendu
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Fab. Numéro de référence
ISC040N10NM7ATMA1

Référence Mouser
726-ISC040N10NM7ATMA

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Infineon Technologies

MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V

Fiche technique

353En stock

5,0002026-08-27 attendu

Bande coupée

$4.52

$2.29

$2.02

$1.63

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Bobine

$1.41

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PG-TDSON-8

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Enhancement

Reel, Cut Tape

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $5.30
5,918En stock
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IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1

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726-IQEH64NE2LM7UCGS

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MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Fiche technique

5,918En stock

Bande coupée

$5.30

$3.46

$2.42

$2.03

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Bobine

$1.76

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: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

348 A

640 uOhms

16 V

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+ 175 C

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