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RH7G04CBKFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7G04CBKFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7G04CBKFRATCB
Price: 3.23 CAD
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RH7G04CBKFRATCB

N° de fab. :

RH7G04CBKFRATCB

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

RH7G04CBKFRATCB Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	40 A
Rds On - Résistance drain-source:	5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	19.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	62 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	9..3 ns
Transconductance directe - min.:	11 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10.5 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	41.7 ns
Délai d'activation standard:	14.3 ns

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RH7G04CBKFRATCB Fiche technique

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Codes de conformité

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Japon
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

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Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.

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Stock:: 2,990 Expédition possible immédiatement

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Prix unitaire:

$-.--

Ext. Prix:

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Tarif est.:

Prix (CAD)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	$3.23	$3.23
	$2.07	$20.70
	$1.40	$140.00
	$1.11	$555.00
	$1.02	$1,020.00
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	$0.927	$2,781.00

RH7G04CBKFRATCB

Fab. : ROHM Semiconductor

Description : MOSFET Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

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