NTHL025N065SC1

onsemi
863-NTHL025N065SC1
NTHL025N065SC1

Fab. :

Description :
SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

Fiche technique:
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onsemi
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
99 A
28.5 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
164 nC
- 55 C
+ 175 C
348 W
Enhancement
EliteSiC
Marque: onsemi
Configuration: Single
Temps de descente: 9 ns
Transconductance directe - min.: 27 S
Conditionnement: Tube
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 51 ns
Série: NTHL025N065SC1
Nombre de pièces de l'usine: 450
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
Délai de désactivation type: 34 ns
Délai d'activation standard: 18 ns
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

PCN

Codes de conformité
CAHTS:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Corée, République de
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET EliteSiC M2

Les MOSFET EliteSiC M2 d'onsemi sont disponibles pour des tensions de 650 V, 750 V et 1 200 V. Les MOSFET M2 d'onsemi sont proposés dans différents boîtiers, notamment D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD et TO-247-4LD. Les MOSFET offrent une flexibilité de conception et de mise en œuvre. De plus, les MOSFET EliteSic M2 disposent d’une tension grille-source maximale de +22 V/-8 V, d’une faible RDS(on) et d’un temps de résistance aux courts-circuits (SCWT) élevé.

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MOSFET au carbure de silicium (SiC) 650 V

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Pilotes de grille d’appariement avec MOSFET EliteSiC

Les applications d’Infrastructure énergétique telles que la charge des véhicules électriques, le stockage d’énergie, les systèmes d’alimentation sans interruption (ASI) et l’énergie solaire poussent les niveaux de puissance du système à des centaines de kilowatts, voire des mégawatts. Ces applications à haute puissance utilisent des topologies demi-pont, pont complet et triphasé cycle de service jusqu’à six commutateurs pour onduleurs et BLDC. En fonction du niveau de puissance et des vitesses de commutation, les concepteurs de systèmes utilisent diverses technologies de commutation, notamment le silicium, les IGBT et le SIC, pour répondre au mieux aux exigences des applications.

En stock: 1,046

Stock:
1,046 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
22 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1   Maximum : 30
Prix unitaire:
$-.--
Ext. Prix:
$-.--
Tarif est.:

Prix (CAD)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
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