TK095N65Z5,S1F

Toshiba
757-TK095N65Z5S1F
TK095N65Z5,S1F

Fab. :

Description :
MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=230W F=1MHZ

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Toshiba
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
29 A
95 mOhms
- 30 V, 30 V
4.5 V
50 nC
+ 150 C
230 W
Enhancement
Tube
Marque: Toshiba
Configuration: Single
Temps de descente: 4 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 40 ns
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 95 ns
Délai d'activation standard: 75 ns
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
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DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.

MOSFET à canal N en silicium (DTMOSVI) TK095N65Z5

Le MOSFET à canal N en silicium (DTMOSVI) TK095N65Z5 de Toshiba  est un MOSFET haut débit 650 V, 95 mΩ dans un boîtier TO-247. Conçu pour une utilisation dans les applications de régulateur de tension à commutation, le TK095N65Z5 offre un temps de récupération rapide (115 ns standard) et une faible résistance drain-source à l’état passant (0,079Ω standard). Ce MOSFET offre des propriétés de commutation à haute vitesse avec une faible capacité.

Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
16 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
$-.--
Ext. Prix:
$-.--
Tarif est.:

Prix (CAD)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
$11.35 $11.35
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