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MOSFET de puissance OptiMOS™ 8
Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 8 Infineon Technologies sont des MOSFET de puissance à canal N, de niveau normal 80 V ou 100 V avec une résistance de conduction très faible [RDS(ON)]. Les MOSFET de 80 V sont disponibles dans des boîtiers refroidis des deux côtés (WSON-8) tandis que le MOSFET de 100 V est livré dans un boîtier TDSON-8 standard. Chaque boîtier offre une résistance thermique supérieure et est testé à 100 % pour l’avalanche. Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 8 d'Infineon Technologies présentent une diode de récupération douce et sont sans plomb, sans halogène et conformes à la norme RoHS.