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MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMTH4M70SPGWQ
Le MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMTH4M70SPGWQ de Diodes Incorporated est un MOSFET 40 V conforme à la norme automobile qui dispose d'un RDS(ON) standard de 0,54 mΩ à un pilote de grille de 10 V, avec une charge de grille de 117 nC. Le DMTH4M70SPGWQ est proposé dans un boîtier de puissance innovant à courant fort et rendement thermique PowerDI®8080-5, idéal pour les applications de véhicules électriques (EV). Le MOSFET DMTH4M70SPGWQ homologué AEC-Q101 de Diodes Incorporated facilite les concepteurs d'entraînements de moteurs BLDC à haute puissance automobile, de convertisseurs CC-CC et de systèmes de charge pour maximiser le rendement du système tout en garantissant que la dissipation de puissance soit maintenue à un minimum absolu. L'appareil fournit une température de fonctionnement pouvant atteindre +175 °C
