Modules à double configuration IGBT7 E7 TRENCHSTOP™

Les modules à double configuration IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ d'Infineon Technologies sont basés sur une technologie de tranchée à micro-motifs qui réduit les pertes et offre une haute contrôlabilité. Le concept de cellule est caractérisé par la mise en œuvre de cellules à tranchée parallèles séparées par des mesas de moins d'un micron, ce qui n'est pas le cas des cellules à tranchée carrées précédemment utilisées. Une puce spécialement optimisée pour les applications d’entraînement industriel et les systèmes d’énergie solaire fournit de faibles pertes statiques, une densité de puissance élevée et une commutation douce. Avec une température de fonctionnement maximale de +175 °C, les modules permettent une augmentation significative de la densité de puissance.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant collecteur continu de 25 C
Courant de fuite gâchette-émetteur
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
Infineon Technologies Modules IGBT 2300 V, 1800 A dual IGBT module
Fiche technique
2En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
Fiche technique
17En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
Fiche technique
33En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Fiche technique
12En stock
422026-08-21 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 300 A dual IGBT module
Fiche technique
11En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Fiche technique
6En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Fiche technique
292026-08-28 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Non
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1700 V, 750 A dual IGBT module
Fiche technique
42026-08-21 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT PP IHM I
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 22 Semaines
Min. : 3
Mult. : 3

Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 750 A dual IGBT module
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines
Min. : 10
Mult. : 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray