SiC MOSFET – Mouser Canada

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Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	Style de montage	Package/Boîte	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Mode canal
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R008M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: $55.64 1,584En stock 1,000Sur commande	Fab. Numéro de référence IMBG120R008M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R008M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Fiche technique	1,584En stock 1,000Sur commande	Bande coupée $55.64 $45.40 $40.12 $39.89 Bobine $37.45 MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	189 A	7.7 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	195 nC	- 55 C	+ 175 C	800 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R012M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: $40.00 1,975En stock	Fab. Numéro de référence IMBG120R012M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R012M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Fiche technique	1,975En stock	Bande coupée $40.00 $27.63 $27.56 $26.05 Bobine $24.31	Min. : 1 Mult. : 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	144 A	12.2 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	600 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R022M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: $25.65 235En stock	Fab. Numéro de référence IMBG120R022M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R022M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Fiche technique	235En stock	Bande coupée $25.65 $19.54 $16.29 $14.52 Bobine $13.55 MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	87 A	21.6 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: $19.48 1,593En stock	Fab. Numéro de référence IMBG120R026M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R026M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Fiche technique	1,593En stock	Bande coupée $19.48 $11.89 $11.66 Bobine $11.10	Min. : 1 Mult. : 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	75 A	25.4 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	335 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R234M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: $7.59 3,601En stock 2,000Sur commande	Fab. Numéro de référence IMBG120R234M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R234M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Fiche technique	3,601En stock 2,000Sur commande	Bande coupée $7.59 $3.95 $3.59 $3.17 Bobine $3.15 MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 1,000 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	8.1 A	233.9 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	7.9 nC	- 55 C	+ 175 C	80 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: $16.43 79En stock 1,0002026-12-31 attendu	Fab. Numéro de référence IMBG120R040M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R040M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Fiche technique	79En stock 1,0002026-12-31 attendu	Bande coupée $16.43 $11.62 $9.68 $8.63 Bobine $8.06	Min. : 1 Mult. : 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	52 A	39.6 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	8.1 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: $13.51 258En stock 1,0002026-11-19 attendu	Fab. Numéro de référence IMBG120R053M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R053M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Fiche technique	258En stock 1,0002026-11-19 attendu	Bande coupée $13.51 $9.23 $7.60 $6.78 Bobine $6.35 MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	41 A	52.6 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	205 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: $11.82 227En stock 2,0002026-12-03 attendu	Fab. Numéro de référence IMBG120R078M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R078M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Fiche technique	227En stock 2,0002026-12-03 attendu	Bande coupée $11.82 $8.32 $6.74 $5.99 Bobine $5.30	Min. : 1 Mult. : 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	29 A	78.1 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	20.6 nC	- 55 C	+ 175 C	158 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R181M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: $9.30 582En stock 4,000Sur commande	Fab. Numéro de référence IMBG120R181M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R181M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Fiche technique	582En stock 4,000Sur commande Dates d'expédition sur commande N° de fab. : IMBG120R181M2HXTMA1 Stock: 582 Expédition possible immédiatement Sur commande: 2,000 2027-05-13 attendu 2,000 2027-06-24 attendu Délai usine : 52 Semaines	Bande coupée $9.30 $6.09 $4.49 $3.99 Bobine $3.53 MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	14.9 A	181.4 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.7 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R017M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: $29.26 1,9992026-11-19 attendu	Fab. Numéro de référence IMBG120R017M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R017M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Fiche technique	1,9992026-11-19 attendu	Bande coupée $29.26 $21.86 $18.91 $17.90 Bobine $16.72	Min. : 1 Mult. : 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	107 A	17.1 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	470 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R116M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: $10.28 2,0002026-12-03 attendu	Fab. Numéro de référence IMBG120R116M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R116M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Fiche technique	2,0002026-12-03 attendu	Bande coupée $10.28 $6.88 $5.53 $4.91 Bobine $4.35	Min. : 1 Mult. : 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	21.2 A	115.7 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	14.4 nC	- 55 C	+ 175 C	123 W	Enhancement

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