NTHL080N120SC1A

onsemi
863-NTHL080N120SC1A
NTHL080N120SC1A

Fab. :

Description :
SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V

Fiche technique:
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onsemi
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
31 A
110 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
178 W
Enhancement
EliteSiC
Marque: onsemi
Configuration: Single
Temps de descente: 10 ns
Transconductance directe - min.: 13 S
Conditionnement: Tube
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 20 ns
Série: NTHL080N120SC1A
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Polarité du transistor: N-Channel
Délai de désactivation type: 22 ns
Délai d'activation standard: 13 ns
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

PCN

Codes de conformité
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Corée, République de
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET EliteSiC M1

Les MOSFET EliteSiC M1  d'onsemi disposent  d'une tension nominale de 1 200 V et 1 700 V. Les MOSFET M1  d'onsemi sont conçus pour répondre aux besoins des applications à haute puissance qui exigent fiabilité et efficacité. Les MOSFET EliteSiC M1 sont disponibles en diverses options de boîtier, notamment D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD et pastille nue.

MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 1 200 V

Les MOSFET 1 200 V EliteSiC (carbure de silicium)  onsemi offrent des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles du silicium. Ces MOSFET présentent une faible résistance à l'état passant qui garantit une capacité et une charge de grille faibles. Les MOSFET EliteSiC 1 200 V offrent des avantages au système et comprennent une haute efficacité, une fréquence d'exploitation rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des EMI et une taille de système réduite. Ces MOSFET disposent d'une tension de blocage, d'une commutation à haute vitesse, d'une faible capacité et fonctionnent sur une plage de température de -55°C à 175°C. Les MOSFET SiC 1 200 V sont homologués AEC-Q101 pour l'automobile et sont conformes à la directive RoHS. Ces MOSFET sont adaptés aux onduleurs élévateurs, stations de chargement, onduleurs CC-CC, convertisseurs CC-CC, chargeurs embarqués (OBC), contrôles de moteur, alimentations industrielles et alimentations de serveurs.

Pilotes de grille d’appariement avec MOSFET EliteSiC

Les applications d’Infrastructure énergétique telles que la charge des véhicules électriques, le stockage d’énergie, les systèmes d’alimentation sans interruption (ASI) et l’énergie solaire poussent les niveaux de puissance du système à des centaines de kilowatts, voire des mégawatts. Ces applications à haute puissance utilisent des topologies demi-pont, pont complet et triphasé cycle de service jusqu’à six commutateurs pour onduleurs et BLDC. En fonction du niveau de puissance et des vitesses de commutation, les concepteurs de systèmes utilisent diverses technologies de commutation, notamment le silicium, les IGBT et le SIC, pour répondre au mieux aux exigences des applications.

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Le MOSFET à canal N NTHL080N120SC1A d'Onsemi offre des performances de commutation supérieures et une plus grande fiabilité que le silicium. Ce MOSFET dispose d'une faible résistance à passante et d'une taille de puce compacte qui garantit une capacité et une charge de grille faibles. Le MOSFET NTHL080N120SC1A d'Onsemi est caractérisé par une haute efficacité, une fréquence de fonctionnement rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des EMI et de la taille du système. Les applications typiques comprennent les alimentations sans interruption (ASI), les convertisseurs CC/CC, les convertisseurs élévateurs, la correction du facteur de puissance (PFC), le chargement photovoltaïque (PV), les convertisseurs solaires, les alimentations électriques de serveur et les alimentations électriques de réseau.

En stock: 1,185

Stock:
1,185 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
20 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
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Minimum : 1   Multiples : 1   Maximum : 40
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