Dollars canadiens Incoterms :DDP Tous les prix incluent les droits et frais de douane pour les modes d'expédition sélectionnés. Livraison gratuite pour la plupart des commandes dépassant $100 (CAD).
Dollars US Incoterms :FCA (lieu d'expédition) Les taxes et frais de douane et la TPS collectée au moment de la livraison. Livraison gratuite pour la plupart des commandes dépassant $100 (USD).
Les images sont fournies à titre indicatif Voir les caractéristiques du produit
Partager
Le lien ne peut pas être généré actuellement. Veuillez réessayer.
IGBT à arrêt de champ et en tranchée NGWx
Les IGBTs (transistors bipolaires à grille isolée) à arrêt de champ et en tranchée disposent d'une technologie de troisième génération et combinent les structures de porte de tranchée et d'arrêt de champ (FS) stockées sur le support. Évalué jusqu'à 175 °C, les IGBTs offrent des pertes de coupure IGBT optimisées avec un temps de résistance aux courts-circuits de 5 μs. Ces IGBTs de commutation dure de 600 V et 30 A sont optimisés pour des applications de convertisseur de puissance industrielle haute tension et basse fréquence, ainsi que pour les entraînements à servomoteurs.