MOSFET à super-jonction CoolMOS™ PFD7 950 V

Les MOSFET à super-jonction (SJ) PFD7 CoolMOS™ 950 V d'Infineon Technologies offrent des technologies de super-jonction (SJ). La technologie SJ est idéale pour les applications d'éclairage et SMPS industrielles en intégrant les meilleures performances de sa catégorie avec une facilité d'utilisation de pointe. Le PFDJ fournit une diode de corps ultra-rapide intégrée permettant une utilisation dans les topologies résonantes avec la charge de récupération inverse (Qrr) la plus faible.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
1,835En stock
Bande coupée
$5.96
$3.04
$2.75
$2.29
Bobine
$2.16
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
712En stock
$5.05
$2.53
$2.29
$1.84
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
782En stock
$21.70
$12.21
$12.00
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 74.7 A 60 mOhms 30 V 3.5 V 315 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
613En stock
$10.21
$5.77
$5.31
$4.91
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
1,189En stock
2,0002027-01-28 attendu
Bande coupée
$10.86
$5.83
$5.34
$5.11
Bobine
$4.82
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1,000
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
1,132En stock
Bande coupée
$5.31
$2.68
$2.42
$1.97
Bobine
$1.84
Min. : 1
Mult. : 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
3,695En stock
$6.00
$2.98
$2.71
$2.25
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
59En stock
500Sur commande
$10.84
$5.82
$5.33
$4.82
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 13.9 A 130 mOhms 30 V 3.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
644En stock
Bande coupée
$4.72
$2.36
$2.13
$1.73
$1.70
Bobine
$1.57
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
3792026-11-03 attendu
$5.96
$3.04
$2.75
$2.23
$2.20
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8.7 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 155 C 31 W Enhancement Tube