CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs

Central Semiconductor CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs offer high current, high blocking voltage, and 650V drain-source voltage. This MOSFET combines high voltage capability with low RDS(ON), low threshold voltage, and low gate charge. Typical applications include Power Factor Correction (PFC), solar power inverters, electric vehicle inverters, and Switch Mode Power Supplies (SMPS).

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Central Semiconductor MOSFET 7.3A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Fiche technique
490En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7.3 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 17 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
Central Semiconductor MOSFET 10A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Fiche technique
487En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 29.5 W Enhancement Tube
Central Semiconductor MOSFET 13.8A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Fiche technique
429En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.8 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement Tube
Central Semiconductor MOSFET 29A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Fiche technique
419En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Central Semiconductor MOSFET 4.7A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Fiche technique
474En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4.7 A 990 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 9.7 nC - 55 C + 150 C 22.5 W Enhancement Tube