FET GaN GaNEXUS™

Les transistors à effet de champ en nitrure de gallium (GaN FET) GaNEXUS™ d'onsemi exploitent les propriétés du GaN, matériau à large bande interdite, pour assurer une commutation rapide, une faible charge de grille et de sortie ainsi qu'un meilleur rendement que les transistors de puissance au silicium. Ces caractéristiques permettent des fréquences de fonctionnement plus élevées, une densité de puissance accrue et une réduction des composants magnétiques dans les applications de conversion d'énergie à basse, moyenne, haute et ultra-haute tension. Cette gamme de transistors HEMT (High Electron Mobility Transistor) GaN à enrichissement en boîtier discret couvre une plage de tensions de 40 V à 650 V et comprend notamment les GaN FET intelligents GaNEXUS 650 V, dotés de protections intégrées afin d'améliorer la fiabilité et de simplifier l'intégration des systèmes. La gamme GaNEXUS d'onsemi est particulièrement adaptée aux applications d'automatisation industrielle, de robotique, de centres de données dédiés à l'IA, d'électrification automobile et d'infrastructures énergétiques.