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STD12N60DM2AG

Name: STMicroelectronics STD12N60DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD12N60DM2AG
Price: 4.91 CAD
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STD12N60DM2AG

N° de fab. :

STD12N60DM2AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

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STD12N60DM2AG Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	440 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	14.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	110 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	9.5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8 ns
Série:	STD12N60DM2AG
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	30 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Poids de l''unité:	330 mg

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Fiche technique

STD12N60DM2AG Fiche technique (PDF)

PCN

Codes de conformité

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

STD12N60DM2AG N-channel Power MOSFET

STMicroelectronics STD12N60DM2AG N-channel Power MOSFET is a part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diodes. This automotive-grade N-channel power MOSFET offers very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr) combined with low R_DS(on). This power MOSFET features low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. STMicroelectronics STD12N60DM2AG N-channel Power MOSFET is suitable for demanding high-efficiency converters and for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

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Prix unitaire:

$-.--

Ext. Prix:

$-.--

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+$8.50)

Prix (CAD)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	$4.91	$4.91
	$3.18	$31.80
	$2.20	$220.00
	$1.84	$920.00
	$1.74	$1,740.00
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	$1.60	$4,000.00

† Les frais pour $8.50 MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

STD12N60DM2AG

Fab. : STMicroelectronics

Description : MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in Complétez votre conception

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