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TGF2954

Name: Qorvo TGF2954
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF2954
Price: 115.66 CAD
Availability: InStock

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N° Mouser :

772-TGF2954

N° de fab. :

TGF2954

Fab. :

Qorvo

Description :

FET GaN DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm

Fiche technique:

TGF2954 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	FET GaN
Restrictions en matière d'expédition :	Il se peut que des documents supplémentaires soient nécessaires pour une exportation depuis les États-Unis.
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	Die
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	32 V
Id - Courant continu de fuite:	1.7 A
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	34.5 W
Fréquence de fonctionnement max.:	15 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	0 Hz
Technologie:	GaN-on-SiC
Marque:	Qorvo
Configuration:	Single
Gain:	19.6 dB
Alimentation en sortie:	27 W
Conditionnement:	Gel Pack
Type de produit:	GaN FETs
Série:	TGF2954
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	GaN HEMT
Raccourcis pour l'article N°:	1112246

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Fiche technique

TGF2954 Fiche technique (PDF)

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Codes de conformité

CAHTS:: 8542330000
CNHTS:: 8542319000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: 3A001.b.3.b.2

Classifications d’origine

Pays d'origine:: États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

TGF2954 GaN on SiC HEMT

Qorvo TGF2954 Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High-Electron Mobility Transistor (HEMT) operates from DC to 12GHz and typically provides 44.5dBm of saturated output power (P_SAT) with a power gain of 19.6dB. This field-effect transistor (FET) can switch faster than silicon power transistors. This function, combined with its small footprint, provides more energy efficiency while creating more space for external components. Qorvo TGF2954 GaN on SiC Transistor is offered as a bare die, with chip dimensions of 1.01mm x 1.68mm x 0.10mm. It has a maximum power-added efficiency range of 71.5%, making it appropriate for high-efficiency applications. Typical applications include satellite, point-to-point, and military communications as well as marine radar, defense and aerospace, amplifiers, and broadband wireless.

PRODUITS PRÉSENTÉS

QORVO

HEMT Gan/Sic de 300 W QPD2560L

Conçu pour des applications exigeantes en bande L, fonctionnant dans la gamme de fréquences de 1,0 GHz à 1,5 GHz.

Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P _3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P_{3 dB}), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

Transistors de puissance RF au GaN QPD1035

HEMT discrets au nitrure de gallium (GaN) sur carbure de silicium (SiC) de 40 W fonctionnant avec du CC à 6 GHz avec une alimentation de 50 V.

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TGF2954

Fab. : Qorvo

Description : FET GaN DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm

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QPD GaN RF Transistors

TGF2954 GaN on SiC HEMT

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FET GaN DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm

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