TK110N65Z,S1F

Toshiba
757-TK110N65ZS1F
TK110N65Z,S1F

Fab. :

Description :
MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Toshiba
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
110 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
Tube
Marque: Toshiba
Temps de descente: 4 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 35 ns
Série: DTMOS VI
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 90 ns
Délai d'activation standard: 62 ns
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance TK110N65Z DTMOSVI

Le MOSFET de puissance DTMOSVI TK110N65Z de Toshiba dispose d'une faible résistance drain-source à l'état passant de RDS(ON) = 0,092 Ω (std). Le MOSFET dispose de propriétés de commutation à haute vitesse avec une capacité plus faible et un mode d'amélioration de Vth = 3 à 4 V (VDS = 10 V, ID = 1,02 mA). Il idéal pour les applications d'alimentations de commutation.

DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.

MOSFET à super-jonction DTMOS-VI 650 V

Les MOSFET à super-jonction DTMOS-VI 650 V de Toshiba sont conçus pour fonctionner dans les alimentations de commutation. Ces MOSFET à canal N disposent de propriétés de commutation à haute vitesse avec une capacité plus faible. Les MOSFET à super-jonction DTMOS-VI 650 V offrent une faible résistance à l'état passant de source de drain standard de 0,092 Ω à 0,175 Ω. Ces composants disposent d'une tension drain-source de 10 V.

Disponibilité

Stock:
0

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Sur commande:
59
2026-12-18 attendu
Délai usine :
16
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Tarif est.:

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