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QPD0020TR7

Name: Qorvo QPD0020TR7
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0020TR7
Price: 86.31 CAD
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

772-QPD0020TR7

N° de fab. :

QPD0020TR7

Fab. :

Qorvo

Description :

FET GaN DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

Fiche technique:

QPD0020TR7 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	QFN-20
Fréquence de fonctionnement max.:	2.69 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	2.62 GHz
Technologie:	GaN
Marque:	Qorvo
Configuration:	Single
Kit de développement:	QPD0020EVB02
Gain:	16.7 dB
Alimentation en sortie:	34.7 W
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	GaN FETs
Série:	QPD0020
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	HEMT
Raccourcis pour l'article N°:	QPD0020

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Fiche technique

QPD0020TR7 Fiche technique (PDF)

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Codes de conformité

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Transistors de puissance RF au GaN QPD0020

Les transistors de puissance RF QPD0020 de Qorvo sont des transistors discrets à haute mobilité d'électrons (HEMT), 35 W, au nitrure de gallium (GaN), non appariés, fonctionnant entre le CC et 6 GHz à partir d'un rail de tension d'alimentation de +48 V. Ces composants sont adaptés aux applications de type station de base, radar et équipement de télécommunications. Ces transistors peuvent fonctionner mode onde entretenue (CW) et en mode pulsé. Le QPD0020 peut être utilisé dans un montage de Doherty pour réaliser l'étage final de l'amplificateur de puissance d'une station de base d'un système pour petite cellule, pour microcellule ou d'un système à antenne active. Le QPD0020 peut aussi servir à réaliser l'étage d'attaque de l'amplificateur de puissance d'une station de base pour macrocellule.

PRODUITS PRÉSENTÉS

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HEMT Gan/Sic de 300 W QPD2560L

Conçu pour des applications exigeantes en bande L, fonctionnant dans la gamme de fréquences de 1,0 GHz à 1,5 GHz.

Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P _3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P_{3 dB}), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

Transistors de puissance RF au GaN QPD1035

HEMT discrets au nitrure de gallium (GaN) sur carbure de silicium (SiC) de 40 W fonctionnant avec du CC à 6 GHz avec une alimentation de 50 V.

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$-.--

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Tarif est.:

Prix (CAD)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	$86.31	$86.31
	$71.29	$712.90
	$67.55	$1,688.75
	$66.70	$6,670.00
	$66.69	$16,672.50
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 500)
	$63.88	$31,940.00

QPD0020TR7

Fab. : Qorvo

Description : FET GaN DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

Caractéristiques

Documents (1)

Fiche technique

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

Plus d'informations

Transistors de puissance RF au GaN QPD0020

PRODUITS PRÉSENTÉS QORVO

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Prix (CAD)

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Fab. :

Qorvo

Description :

FET GaN DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

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