MOSFET de puissance NexFET™ CSD25402Q3A

Le MOSFET de puissance CSD25402Q3A NexFET™ de Texas Instruments est un MOSFET à un canal p 20 V conçu pour minimiser les pertes dans les applications de gestion de la charge de conversion d'énergie. Le CSD25402Q3A de Texas Instruments se présente sous la forme d'un boîtier SON 3,3 mm × 3,3 mm qui offre d'excellentes performances thermiques pour sa taille. Les applications typiques sont les convertisseurs CC-CC, la gestion de batterie, les commutateurs de charge et la protection des batteries.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement

Texas Instruments MOSFET -0-V, P channel NexFET power MOSFET, single SON mm x mm, 8.9 mOhm
Fiche technique
11,970En stock
32,500Sur commande
Bande coupée
$1.92
$0.893
$0.792
$0.616
Bobine
$0.497
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MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,500
Si SMD/SMT VSONP-8 P-Channel 1 Channel 20 V 76 A 8.9 mOhms 12 V 650 mV 7.5 nC - 55 C + 125 C 69 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET -20-V, P channel NexFET power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 8.9 mOhm
Fiche technique
1,9502027-06-28 attendu
Bande coupée
$2.61
$1.24
$0.965
Bobine
$0.965
$0.828
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MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 250
Si SMD/SMT SON-8 P-Channel 1 Channel 20 V 76 A 300 mOhms 12 V 1.15 V 9.7 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel