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RFNxRSM2S Diodes à récupération ultra rapide
Les diodes à récupération ultra rapide RFNxRSM2S de ROHM Semiconductor sont des diodes planaires épitaxiales au silicium avec faible tension directe et faible perte de commutation. Ces diodes ultra-rapides disposent d'une tension inverse de crête de 200 V et d'une plage de température de stockage de -55 °C à 175 °C. Les diodes de récupération ultra-rapide RFNxRSM2S offrent une capacité de surcharge en courant élevé. Ces diodes sont livrées dans un boîtier TO-277A. Les diodes à récupération ultra-rapide RFNxRSM2S sont conformes à la directive RoHS et idéales pour des applications générales de redressement.