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Diodes à barrière Schottky RBx8
Les diodes barrières Schottky RBx8 de ROHM Semiconductor avec structure planaire épitaxiale en silicium offrent jusqu'à 1 A de courant direct redressé moyen. Ces diodes offrent une haute fiabilité, un IR bas et un courant de surtension direct de crête de 5 A. Les diodes à barrière Schottky RBx8 peuvent être stockées dans une plage de température allant de -55 °C à 150 °C. Ces diodes sont idéales pour les applications de redressement général.