NVMFS5832NLWFT1G-UM

onsemi
863-FS5832NLWFT1G-UM
NVMFS5832NLWFT1G-UM

Fab. :

Description :
MOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

Cycle de vie:
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onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
4.2 mOhms
20 V
2.4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
127 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marque: onsemi
Configuration: Single
Temps de descente: 8 ns
Transconductance directe - min.: 21 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 24 ns
Série: NVMFS5832NL
Nombre de pièces de l'usine: 1500
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 27 ns
Délai d'activation standard: 13 ns
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

Codes de conformité
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Malaisie
Pays de diffusion:
Taïwan
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL

Le MOSFET de puissance monocanal NVMFS5832NL d’onsemi est un MOSFET à hautes performances conçu pour des applications à basse tension nécessitant une commutation de puissance efficace. Conçu avec une technologie à tranchées d’avant-garde, le NVMFS5832NL d’onsemi affiche une RDS(on) remarquablement faible de 4,2 mΩ à VGS = 10 V, permettant de réduire les pertes de conduction et des performances thermiques améliorées. Avec une tension drain-source maximale de 40 V et une tension de courant de drain continu pouvant atteindre 120 A, ce MOSFET est idéal pour les environnements exigeants tels que les convertisseurs CC-CC, le redressement synchrone et le contrôle de moteur. Le boîtier DFN de puissance compact de 5 mm x 6 mm garantit une densité à haute puissance et une excellente dissipation thermique tandis que la faible charge de grille du dispositif prend en charge une commutation rapide pour une efficacité améliorée dans des conceptions à haute fréquence.

N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

onsemi NVMFSCx Automotive Power 40V and 60V MOSFETs are available in 5mm x 6mm dual-sided cooled packages ideal for compact and efficient designs. The single N-Channel devices feature 1.5mΩ and 0.9mΩ RDS(on) drain-source on-resistance to minimize conductive losses. The MOSFETs includes a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The devices are also AEC-Q101-qualified and PPAP-capable, making them suitable for automotive applications.

NVMx & NVTx Power MOSFETs

onsemi NVMx and NVTx Power MOSFETs are AEC−Q101 Qualified and offer compact and efficient solutions for automotive applications. NVMx and NVTx Power MOSFETs offer Low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, SO-8FL, and WDFN8 packages and are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

Disponibilité

Stock:
0

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