Transistors de puissance CoolGaN™ G5 700 V

Les transistors de puissance CoolGaN™ G5 700 V d'Infineon Technologies représentent une avancée significative dans la technologie de conversion d'énergie. Ces transistors en nitrure de gallium (GaN) sont conçus pour fonctionner à des fréquences élevées avec une efficacité supérieure, permettant une commutation ultra-rapide et minimisant les pertes d'énergie. La série 700 V CoolGaN G5 comprend des transistors en mode d'amélioration qui sont normalement désactivés, garantissant une exploitation sûre et une haute fiabilité. Présentant une petite charge de sortie et grille, ces transistors soutiennent des conceptions de densité haute puissance et réduisent les coûts de nomenclature système.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Fiche technique
2,056En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V - 10 V 1.6 V 1.9 nC - 40 C + 150 C 29 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Fiche technique
2,182En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.3 nC - 40 C + 150 C 21 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Fiche technique
3,601En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 600 mOhms - 10 V 1.6 V 0.53 nC - 40 C + 150 C 11 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Fiche technique
1,947En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1 nC - 40 C + 150 C 18 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Fiche technique
4,617En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5,000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 13 A 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 40 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Fiche technique
4,965En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5,000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.26 nC - 40 C + 150 C 34 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 700 V G5
Fiche technique
72En stock
10,000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 5,000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolGaN