Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

SQS850EN-T1_GE3

Name: Vishay SQS850EN-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQS850EN-T1_GE3
Price: 2.52 CAD
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

78-SQS850EN-T1_GE3

N° de fab. :

SQS850EN-T1_GE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

Fiche technique:

SQS850EN-T1_GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Vishay Semiconductors SQS850EN-T1_GE3

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-1212-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	12 A
Rds On - Résistance drain-source:	18 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.5 V
Qg - Charge de grille:	41 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	33 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Bulk
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Temps de descente:	9.3 ns
Transconductance directe - min.:	33 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9.6 ns
Série:	SQS
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	25 ns
Délai d'activation standard:	9 ns
Poids de l''unité:	1 g