Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

SQJ152ELP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ152ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQJ152ELP-T1_GE3
Price: 2.15 CAD
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

78-SQJ152ELP-T1_GE3

N° de fab. :

SQJ152ELP-T1_GE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET Auto N-Ch 40 V (D-S)

Fiche technique:

SQJ152ELP-T1_GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Vishay Semiconductors SQJ152ELP-T1_GE3

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK SO-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	123 A
Rds On - Résistance drain-source:	5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.2 V
Qg - Charge de grille:	34 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	136 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Temps de descente:	12 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6.1 ns
Série:	SQJ
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	35 ns
Délai d'activation standard:	13.5 ns
Poids de l''unité:	187 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Technical Resources

Codes de conformité

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

SQJ152ELP MOSFET automobile

Le SQJ152ELP MOSFET automobile de Vishay dispose d'un boîtier de conception sans fil qui étend les capacités de courant de drain du MOSFET et réduit sa résistance thermique. Ce MOSFET met en œuvre la TECHNOLOGIE TrenchFET^® Gen IV 40 V et offre une fiabilité améliorée au niveau de la carte. Le SQJ152ELP MOSFET est qualifié AEC-Q101 et offre des fils de papillon externes conçus pour soulager au maximum les contraintes en cas de contraintes thermiques et mécaniques extrêmes. Ce MOSFET est idéal pour une utilisation dans les relais à semi-conducteurs, les commutateurs côté haut, les commandes d'entraînement moteur et d'autres systèmes de sécurité et de commodité.

MOSFET automobiles SQJ

Les MOSFET^®automobiles SQJ Vishay/Siliconix sont des MOSFET de puissance 40 V_DS à canal N TrenchFET Gen IV. Ces MOSFET homologués AEC-Q101 sont testés à 100% R_g et commutation inductive non limitée (UIS) avec un rapport Q_gd/Q_gs de moins de 1 qui optimise les caractéristiques de commutation. Les MOSFET automobiles SQJ offrent une très faible R_DS(on) et fonctionnent dans une plage de température comprise entre -55°C et 175°C.Ces MOSFET de classe automobile sont disponibles en boîtier PowerPAK^® SO-8L avec des configurations simples/doubles. Les applications standard incluent l'automobile, la gestion des moteurs, les entraînements et actionneurs de moteurs et la gestion des batteries.

PRODUITS PRÉSENTÉS

VISHAY

MOSFET à canal N SiJK5100E

MOSFET de puissance TrenchFET^® Gén V avec une tension drain-source de 100 V et une puissance dissipable admissible de 536 W.

MOSFET à canal N TrenchFET® Gen IV 80 V SiEH4800EW

Se présente dans un boîtier BWL de 8 mm x 8 mm PowerPAK^®avec une résistance à l'état passant de 0,00115 Ω.

MOSFET à canal N 40 V (D-S) SiJK140E

Dispose d’une technologie d’alimentation TrenchFET^® Gén V idéale pour le redressement synchrone et l’automatisation.

MOSFET à super-jonction en PowerPAK® 10 x 12

Dotés d'une technologie de puissance, ils optimisent l'efficacité et minimisent les pertes de puissance pendant la conduction.

MOSFET 150 V (D-S) à canal N SiRS5700DP

MOSFET de puissance TrenchFET® Gen V doté d'un facteur de performance (FOM) R_{DS x}Q_g très faible.

En stock: 3,641

Stock:: 3,641 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 6 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

$-.--

Ext. Prix:

$-.--

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+$8.50)

Prix (CAD)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	$2.15	$2.15
	$1.36	$13.60
	$0.899	$89.90
	$0.703	$351.50
	$0.639	$639.00
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	$0.559	$1,677.00
	$0.533	$3,198.00

† Les frais pour $8.50 MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

SQJ152ELP-T1_GE3

Fab. : Vishay Semiconductors

Description : MOSFET Auto N-Ch 40 V (D-S)

Caractéristiques

Documents (9)

Fiche technique

Models

PCN

Technical Resources

Produit et conformité commerciale

Plus d'informations

SQJ152ELP MOSFET automobile

MOSFET automobiles SQJ

Nos clients ont également acheté

PRODUITS PRÉSENTÉS VISHAY

En stock: 3,641

Prix (CAD)

Aperçu rapide

Une erreur inattendue est survenue.

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET Auto N-Ch 40 V (D-S)

PRODUITS PRÉSENTÉS

VISHAY