SiC MOSFET – Mouser Canada

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650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

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Référence

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: $26.90
448En stock

Fab. Numéro de référence
SCT018W65G3-4AG

Référence Mouser
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Fiche technique

448En stock

$26.90

$17.48

$16.27

$14.41

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: $19.60
575En stock
1,0002027-06-18 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT027H65G3AG

Référence Mouser
511-SCT027H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

Fiche technique

575En stock

1,0002027-06-18 attendu

Bande coupée

$19.60

$11.15

$11.12

Bobine

$10.51

Min. : 1
Mult. : 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: $16.75
467En stock

Fab. Numéro de référence
SCT040W65G3-4

Référence Mouser
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Fiche technique

467En stock

$16.75

$9.17

$8.55

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: $19.32
481En stock

Fab. Numéro de référence
SCT040W65G3-4AG

Référence Mouser
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Fiche technique

481En stock

$19.32

$12.90

$11.98

$10.32

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: $13.18
1,404En stock

Fab. Numéro de référence
SCT055TO65G3

Référence Mouser
511-SCT055TO65G3

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

Fiche technique

1,404En stock

Bande coupée

$13.18

$7.21

$6.75

$6.25

Bobine

$6.25

Min. : 1
Mult. : 1

: 1,800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: $23.86
23En stock
1,0002027-01-29 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT018H65G3AG

Référence Mouser
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Fiche technique

23En stock

1,0002027-01-29 attendu

Bande coupée

$23.86

$14.34

Bobine

$13.56

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: $17.44
656En stock

Fab. Numéro de référence
SCT040H65G3AG

Référence Mouser
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

Fiche technique

656En stock

Bande coupée

$17.44

$9.81

$9.55

Bobine

$9.03

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 1,000

SMD/SMT

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: $14.76
14En stock
1,8002027-02-05 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT040TO65G3

Référence Mouser
511-SCT040TO65G3

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

Fiche technique

14En stock

1,8002027-02-05 attendu

Bande coupée

$14.76

$10.40

$7.72

$7.20

Bobine

$7.20

Min. : 1
Mult. : 1

: 1,800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: $19.70
5En stock
6002027-04-16 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT055W65G3-4AG

Référence Mouser
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Fiche technique

5En stock

6002027-04-16 attendu

$19.70

$14.73

$13.48

$11.68

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1: $22.69
Délai de livraison produit non stocké 25 Semaines
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
SCT018H65G3-7

Référence Mouser
511-SCT018H65G3-7

Nouveau produit

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Fiche technique

Délai de livraison produit non stocké 25 Semaines

Bande coupée

$22.69

$15.97

$13.45

Bobine

$12.56

Min. : 1
Mult. : 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

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