Résultats: 7
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Package/Boîte Style de montage Configuration Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Tension de saturation collecteur-émetteur Tension de l'émetteur de porte max. Courant collecteur continu de 25 C Pd - Dissipation d’énergie Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Série Conditionnement

onsemi IGBTs 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 245En stock
$11.95
$6.97
$6.96
$6.00
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGHL40T120RWD Tube
onsemi IGBTs 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT Fast Switching 270En stock
$8.74
$4.97
$4.13
$3.96
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.68 V 30 V 70 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL40T120SWD Tube

onsemi IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE 392En stock
$7.80
$4.41
$3.63
$3.40
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 60 A 273 W - 55 C + 175 C FGHL40T65LQDT Tube

onsemi IGBTs 650V FS4 Trench IGBT 101En stock
$7.83
$4.42
$3.64
$3.41
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGH50T65SQD Tube

onsemi IGBTs 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 17En stock
4502026-12-29 attendu
$15.54
$9.22
$7.80
$7.76
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 120 A 833 W - 55 C + 175 C FGHL60T120RWD Tube

onsemi IGBTs 650V/35A FAST IGBT FSII T 19En stock
902026-12-21 attendu
$9.53
$5.46
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 30
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 70 A 300 W - 55 C + 175 C NGTB35N65FL2 Tube

onsemi IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 450En stock
$7.30
$4.80
$3.57
$2.72
$2.62
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube