MOSFET de puissance standard/HiPerFET™ TrenchT2™

Les MOSFET de puissance standard TrenchT2™ et HiPerFET™ de Littelfuse sont des MOSFET monocanal ou à canal double à mode d'amélioration offrant des capacités de transport de courant élevé (jusqu'à 600 A). Ces composants disposent d'une faible résistance drain-source à la fermeture (3,5 mΩà 22 mΩ) et d'une charge de grille (25,5 nC à 178 nC) dans une large plage de température de fonctionnement de -55 °C à +175 °C. Disponibles en divers boîtiers compacts, les MOSFET TrenchT2 sont idéaux pour les systèmes de conversion de puissance à courant fort et basse tension.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
IXYS MOSFET DUAL PHASE LEGCONFIG 150V 53A MOSFET
Fiche technique
Non stocké
Min. : 300
Mult. : 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5 N-Channel 2 Channel 150 V 53 A 20 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 180 W TrenchT2 Tube
IXYS MOSFET IXFA76N15T2 TRL
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 22 Semaines
Min. : 800
Mult. : 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 97 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET TO268 100V 320A N-CH TRENCH
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 22 Semaines
Min. : 400
Mult. : 400
: 400

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) 1 Channel 200 V 180 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 154 nC 735 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA100N04T2 TRL
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 21 Semaines
Min. : 800
Mult. : 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25.5 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA110N055T2 TRL
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 22 Semaines
Min. : 800
Mult. : 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 110 A 6.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 57 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA200N055T2 TRL
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 21 Semaines
Min. : 800
Mult. : 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 55 V 200 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA220N04T2 TRL
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 21 Semaines
Min. : 800
Mult. : 800
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 112 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTA230N075T2 TRL
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 33 Semaines
Min. : 800
Mult. : 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFET IXTY90N055T2 TRL
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 22 Semaines
Min. : 2,500
Mult. : 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 55 V 90 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 175 C 150 W TrenchT2 Reel