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SGT3D5R10MEB

Name: STMicroelectronics SGT3D5R10MEB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT3D5R10MEB
Price: 5.36 CAD
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-SGT3D5R10MEB

N° de fab. :

SGT3D5R10MEB

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

FET GaN 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor

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Fiche technique:

SGT3D5R10MEB Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	FCLGA-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	201 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V to + 6 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.1 V
Qg - Charge de grille:	6.3 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	255 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	3.84 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	Transistors
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	6.08 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	PowerGaN Transistor
Délai de désactivation type:	5.12 ns
Délai d'activation standard:	2.56 ns
Poids de l''unité:	78 mg

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Fiche technique

SGT3D5R10MEB Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

USHTS:: 8541600060
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Non disponible
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

SGT3D5R10MEB PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN Transistor is a 100V, 201A e-mode transistor that provides extremely low conduction losses, high current capability, and ultra-fast switching operation. This transistor features a high switching frequency, enabling compact, high‑power‑density designs with small passives and simplified thermal management. The SGT3D5R10MEB transistor operates at 2.7mΩ typical R_DS(ON) drain resistance and -40°C to +150°C operating junction temperature range. This PowerGaN Transistor is ideal for DC-DC converters, motor drivers, and solar system MPPT.

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$-.--

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$-.--

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+$8.50)

Prix (CAD)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	$5.36	$5.36
	$3.50	$35.00
	$2.55	$255.00
	$2.13	$1,065.00
	$1.97	$1,970.00
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	$1.84	$5,520.00
	$1.67	$10,020.00

† Les frais pour $8.50 MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

SGT3D5R10MEB

Fab. : STMicroelectronics

Description : FET GaN 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor Complétez votre conception

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