Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

DMC4040SSD-13

Name: Diodes Incorporated DMC4040SSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMC4040SSD-13
Price: 2.35 CAD
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

621-DMC4040SSD-13

N° de fab. :

DMC4040SSD-13

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

MOSFET MOSFET COMP NPN

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Diodes Incorporated DMC4040SSD-13

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diodes Incorporated
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOIC-8
Polarité du transistor:	N-Channel, P-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	7.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	25 mOhms, 25 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	800 mV
Qg - Charge de grille:	37.6 nC, 33.7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.8 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Diodes Incorporated
Configuration:	Dual
Temps de descente:	5.3 ns, 30.9 ns
Transconductance directe - min.:	12.6 S, 16.6 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15.1 ns, 14.7 ns
Série:	DMC4040
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Délai de désactivation type:	24.3 ns, 53.7 ns
Délai d'activation standard:	8.1 ns, 6.9 ns
Poids de l''unité:	74 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

PCN

Environmental Compliance (PDF)

Codes de conformité

CAHTS:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMC4040SSD Pair Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMC4040SSD Pair Enhancement Mode MOSFET was designed to ensure that R_DS(on) of N and P channel FET are matched to minimize losses in both arms of the bridge. The DMC4040SSD from Diodes Incorporated is optimized for use in 3 phases brushless DC motor circuits (BLDC), CCFL backlighting.

PRODUITS PRÉSENTÉS

DIODES INCORPORATED

MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW

Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI^® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.

Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E

Offre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.

MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN1057UCA3

Offre des performances de commutation supérieures, ce qui est idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement.

MOSFET à mode d’amélioration à canal N DMT31M8LFVWQ 30 V

Fournit une faible résistance de conduction dans un boîtier compact et thermiquement efficace.

MOSFET à mode d'amélioration à canal N 20 V DMN2992UFA

MOSFET à canal N 20 V conçu pour minimiser la RDS_(ON), disponible dans un boîtier X2-DFN0806-3.

En stock: 145

Stock:: 145

Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Sur commande:: 2,500

2027-08-06 attendu

7,500

5,000

2027-08-20 attendu

2,500

2027-10-06 attendu
Délai usine :: 40

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1 Maximum : 2500

Prix unitaire:

$-.--

Ext. Prix:

$-.--

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+$8.50)

Prix (CAD)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	$2.35	$2.35
	$1.29	$12.90
	$0.965	$96.50
	$0.85	$425.00
	$0.744	$744.00
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	$0.54	$1,350.00

† Les frais pour $8.50 MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

DMC4040SSD-13

Fab. : Diodes Incorporated

Description : MOSFET MOSFET COMP NPN

Caractéristiques

Documents (2)

PCN

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

Plus d'informations

Power MOSFETs

DMC4040SSD Pair Enhancement Mode MOSFET

Nos clients ont également acheté

PRODUITS PRÉSENTÉS DIODES INCORPORATED

En stock: 145

Prix (CAD)

Aperçu rapide

Une erreur inattendue est survenue.

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

MOSFET MOSFET COMP NPN

PRODUITS PRÉSENTÉS

DIODES INCORPORATED