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MMBFJ110

Name: onsemi MMBFJ110
Brand: onsemi
SKU: 512-MMBFJ110
Price: 1.08 CAD
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

512-MMBFJ110

N° de fab. :

MMBFJ110

Fab. :

onsemi

Description :

JFET N-CH FET/SSOT-23

Fiche technique:

MMBFJ110 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	JFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SSOT-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Configuration:	Single
Vds - Tension de rupture drain-source:	- 25 V
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 25 V
Id - Courant continu de fuite:	10 mA
Rds On - Résistance drain-source:	18 Ohms
Pd - Dissipation d’énergie :	460 mW
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	MMBFJ110
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Type de produit:	JFETs
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	40 mg

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Fiche technique

MMBFJ110 Fiche technique

PCN

Codes de conformité

CAHTS:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Philippines
Pays de diffusion:: Japon

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MMBFJ110 25V N-Channel JFET

onsemi MMBFJ110 25V N-Channel JFET is designed for digital switching applications where very low on-resistance is mandatory. The MMBFJ110 N-Channel JFET has a drain-gate voltage of 25 volts and a drain-source on-resistance of 18Ω. The total dissipation for this device is 460 mW. The onsemi MMBFJ110 25V N-Channel JFET comes in a compact SuperSOT-3 package to help save board space.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

JFET à canal N TF412

Conçu pour les amplificateurs à usage général à basse fréquence et les applications de convertission d'impédance.

Combo-FET

Dispositifs qui combinent un JFET SiC à faible R_DS(on) avec un MOSFET Si dans un boîtier compact et unique.

Transistor JFET SiC normalement activé UJ4N 750 V 4,3 mΩ

Ce JFET présente une résistance d'activation ultra-faible (R_DS(on)) dans un boîtier TOLL compact.

Combo-FET UG4SC 750 V 8,4 mΩ

Il combine un JFET SiC de 750 V et un MOSFET Si basse tension dans un boîtier TO-247-4L unique.

Transistor JFET canal N UF3N120007K4S 1 200 V

Ce dispositif présente une résistance de conduction ultra-faible [R_DS(ON)] dans un boîtier TO247-4.

En stock: 25,128

Stock:: 25,128 Expédition possible immédiatement

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Délai usine :: 16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1 Maximum : 1550

Prix unitaire:

$-.--

Ext. Prix:

$-.--

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+$8.50)

Prix (CAD)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	$1.08	$1.08
	$0.672	$6.72
	$0.433	$43.30
	$0.33	$165.00
	$0.295	$295.00
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	$0.295	$885.00

† Les frais pour $8.50 MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

MMBFJ110

Fab. : onsemi

Description : JFET N-CH FET/SSOT-23

Caractéristiques

Documents (6)

Fiche technique

PCN

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

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MMBFJ110 25V N-Channel JFET

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Fab. :

onsemi

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JFET N-CH FET/SSOT-23

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