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STGP8M120DF3

Name: STMicroelectronics STGP8M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP8M120DF3
Price: 8.01 CAD
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STGP8M120DF3

N° de fab. :

STGP8M120DF3

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package

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Fiche technique:

STGP8M120DF3 Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-220-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.85 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	16 A
Pd - Dissipation d’énergie :	167 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	M
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	8 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 uA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

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PCN

Codes de conformité

CAHTS:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

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Disponibilité

Stock:: 0

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2026-09-18 attendu
Délai usine :: 20

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

$-.--

Ext. Prix:

$-.--

Tarif est.:

Prix (CAD)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	$8.01	$8.01
	$5.34	$53.40
	$3.82	$382.00
	$3.25	$1,625.00

STGP8M120DF3

Fab. : STMicroelectronics

Description : IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package Complétez votre conception

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