MR20H40CDF

Everspin Technologies
936-MR20H40CDF
MR20H40CDF

Fab. :

Description :
MRAM 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.
Plus d'informations
En savoir plus à propos de Everspin Technologies MR20H40CDF

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Everspin Technologies
Catégorie du produit: MRAM
RoHS:  
DFN-8
SPI
4 Mbit
512 k x 8
8 bit
20 ns
3 V
3.6 V
13.8 mA, 33 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
MR20H40
Tray
Marque: Everspin Technologies
Sensibles à l’humidité: Yes
Pd - Dissipation d’énergie : 600 mW
Type de produit: MRAM
Nombre de pièces de l'usine: 570
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Nom commercial: Serial I/O (SPI)
Poids de l''unité: 37.400 mg
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

Codes de conformité
CAHTS:
8542320090
CNHTS:
8542329090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
854232031
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits. 

Disponibilité

Stock:
0

Vous pouvez toujours acheter ce produit pour une commande de réassortiment.

Sur commande:
138
2026-12-02 attendu
Délai usine :
26
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
$-.--
Ext. Prix:
$-.--
Tarif est.:

Prix (CAD)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
$49.67 $49.67
$45.96 $459.60
$44.50 $1,112.50
$43.40 $2,170.00
$42.28 $4,228.00
$40.87 $10,217.50

Une erreur inattendue est survenue.


Une question ? Rendez-vous au Centre d’assistance.
Pour toute question concernant une commande particulière, veuillez vous connecter à votre compte.

Si vous rencontrez d'autres problèmes, veuillez nous contacter au 800-346-6873 ou par courriel à l'adresse : help@mouser.com.