IPW60R024CFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPW60R024CFD7XKS
IPW60R024CFD7XKSA1

Fab. :

Description :
MOSFET HIGH POWER_NEW

Fiche technique:
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Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
77 A
24 mOhms
20 V
4 V
183 nC
- 55 C
+ 150 C
320 W
Enhancement
Tube
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Type de produit: MOSFETs
Série: IPW60R024CFD7
Nombre de pièces de l'usine: 240
Sous-catégorie: Transistors
Raccourcis pour l'article N°: IPW60R024CFD7 SP002621050
Poids de l''unité: 6 g
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Fiche technique

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Product Catalogs

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Codes de conformité
CAHTS:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Autriche
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Autriche
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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En stock: 480

Stock:
480 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
$-.--
Ext. Prix:
$-.--
Tarif est.:

Prix (CAD)

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Ext. Prix
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